?電路中的電阻用R和數(shù)字表示，如R15表示15的電阻。電路中電阻的主要功能是分流、限流、分壓、偏置、濾波器（與電容器一起使用）和電阻匹配。
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其實(shí)，有關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：
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場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管等。
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?隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，電子設(shè)備的體積和重量越來(lái)越小，而傳統(tǒng)的連續(xù)式申聯(lián)穩(wěn)壓電源由于體積大、效率低則不能滿(mǎn)足整機(jī)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。開(kāi)關(guān)電源是體積小、重量輕、可靠性高的新型電源，具有功耗低、效率高的突出優(yōu)點(diǎn)，其效率可達(dá)75%以上。開(kāi)關(guān)電源取代線(xiàn)性電源是工業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。
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為了獲取不同的輸出功率以控制加熱負(fù)載的溫度,被控制的參數(shù)實(shí)際上是負(fù)載兩端的中頻電壓有效值。該電壓有效值近似于斬波器輸出的直流電壓U。因此控制斬波器電壓值,即可控制逆變器的輸出功率,亦即控制被加熱負(fù)載的溫度。
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IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，并且隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
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